Samsung, dünyanın ilk 900 katmanlı V-NAND depolama çipini geliştirdi

Samsung, bellek teknolojilerinde yeni bir kilometre taşına ulaşarak dünyanın ilk 900 katmanlı V-NAND flaş bellek çipi prototipini geliştirdi.

Yorum bırakın

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir